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《募集》

=平成29年度 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 博士研究員=

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構では、機構における先導的プロジェクト及び基礎基盤研究の一層の推進に資する若手研究者を募集します。

【概要】

募   集:
平成29年度国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構博士研究員
公募人員:
15名程度予定
*予算状況等に拠り予告なく変更される場合がございます
募集部門:
放射線医学研究開発部門、量子ビーム科学研究部門、核融合エネルギー研究開発部門

[応募締切]

平成29年1月20日(金)必着

[詳細]

具体的な募集テーマ・提出書類・書類提出先等の詳細は、以下、機構ホームページをご参照下さい。
(日本語版) http://www.qst.go.jp/information/itemid050-001315.html

[問い合わせ]

(採用全般)
国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 人事部人事課
TEL:043-206-3012 【Email】recruit@qst.go.jp

(募集分野)
上記、機構ホームページをご確認下さい。
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《第219回講演会》

日 時 :
2017年1月27日(金)13:00~17:00
会 場 :
I-siteなんば C1
大阪市浪速区敷津東2丁目1番41号 南海なんば第1ビル2階
テーマ :
『次世代太陽電池の新潮流』

[参加費]
会 員 : 1社2名まで無料(要、会員証呈示)
非会員 : 3,000円(当日受付にて)  学生 : 2,000円

[参加申込]
当ホームページのメールフォーム、またはFAXにて事務局(043-290-3460)まで。

【プログラム】
1. 13:00~14:00 「高効率・高耐久な有機薄膜太陽電池に向けた半導体ポリマーの開発」 広島大学 尾坂 格 氏
<キーワード>有機薄膜太陽電池、半導体ポリマー、共役系ポリマー
14:00~14:10 休 憩(10分)
2. 14:10~15:10 「ペロブスカイト太陽電池:真の有機無機ハイブリッドを目指して」 京都大学化学研究所 若宮 淳志 氏
<キーワード>ペロブスカイト、有機半導体材料、太陽電池、分子設計、高純度化
15:10~15:20 休 憩(10分)
3. 15:20~16:20 「高効率高分子太陽電池のための新戦略」 京都大学 大北 英生 氏
<キーワード>高分子太陽電池、近赤外光、三元ブレンド、高分子ブレンド、一重項分裂
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《協賛講演会》 =第150回ラドテック研究会講演会=

主 催 :
一般社団法人ラドテック研究会
期 日 :
2017年1月31日(火)13:00~16:40
場 所 :
東京理科大学神楽坂キャンパス1号館 17階/記念講堂
<講師と演題>
(1) 13:00~13:50
「ライトメルト接着材料の開発 〜光剥離と耐熱接着の両立〜」 京都大学大学院 齊藤 尚平 氏
(2) 13:50~14:40
「光反応を利用した刺激応答性ポリマーの設計」 関西大学 宮田 隆志 氏
14:40 ~ 15:00 ♪♪♪♪♪ コーヒーブレイク ♪♪♪♪♪
(3)15:00~15:50
「UV硬化に次いで市場で広がっている新規UV表面処理技術」 セン特殊光源株式会社 菊池 清 氏
(4) 15:50~16:40
「省エネUVシステムの変遷と印刷物(仮)」 東洋インキ株式会社 沖野 雄一 氏
◆17:00~18:30
交流会・ミニ展示会 大会議室にて

[1.参 加 費]
個人会員(本人) : 無料
法人会員 : (2名まで)無料  3名から1名10,000円
非会員 : 1名20,000円
協賛団体所属の方 : 10,000円
注 ・上記参加費には、講演要旨集1冊を含みます。

[2.申込締切日]
2017年1月5日(木)

[3.問合せ先]
一般社団法人ラドテック研究会事務局
〒102-0082 千代田区一番町23-2 番町ロイヤルコート207
TEL:03-6261-2750 FAX:03-6261-2751
E-mail:staff@radtechjapan.org

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《平成29年度総会》

日 時 :
2017年4月20日(木)13:00~13:20
会 場 :
森戸記念館(東京理科大学)
議 事 :
1.平成28年度事業報告承認の件
2.平成28年度収支決算ならびに年度末貸借対照表承認の件
3.平成29年度事業計画および予算案承認の件
4.その他

《第220回講演会》

日 時 :
2017年4月20日(木)13:30~17:00
会 場 :
森戸記念館(東京理科大学)
テーマ :
『次世代リソグラフィ技術の展開』

[趣旨]
次世代リソグラフィ技術とそこに展開するフォトポリマーとの係わりについて、3件の講演を企画した。現行リソグラフィの延長線上にあるEUVリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィおよび自己組織化(DSA)技術について概説していただく。

[参加費]
会 員 : 1社2名まで無料(要、会員証呈示)
非会員 : 3,000円(当日受付にて)  学生 : 2,000円

[参加申込]
当ホームページのメールフォーム、またはFAXにて事務局(043-290-3460)まで。

【プログラム】
13:30~14:30 「EUVリソグラフィの課題」 兵庫県立大学 渡邊 健夫 氏
EUVリソグラフィについて、ハードウェア(露光機)、プロセスおよびマスク、レジスト材料など量産適用のための技術開発が進められているが、光源開発などのさらに改良が必要な課題も残されている。このような状況の中で、技術開発の現状について概説していただく。
14:30~14:40 休 憩(10分)
14:40~15:40 「Nanoimprint system for high volume semiconductor manufacturing (仮)」 キヤノン(株) 伊藤 俊樹 氏
20nm以下の微細パターン形成技術として、半導体量産用のナノインプリント技術が注目されている。量産化に向けてハードウェア、材料およびプロセスの開発が精力的に進められている。該社が開発を進めている半導体量産用のナノインプリント技術とそれに必要なレジスト材料について、最近の研究動向、将来展望などを含めて概説していただく。
15:40~15:50 休 憩(10分)
15:50~16:50 「自己組織化(DSA)技術の最前線」 名古屋大学 高野 敦志 氏
20nm以下の微細パターン形成技術として、自己組織化(DSA)技術が注目されている。量産化に向けてハードウェア、材料およびプロセスの開発が精力的に進められている。最近の研究動向、将来展望などを含めて概説していただく。

フォトポリマー懇話会の活動写真