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《第２６４回講演会》

日　時 ：
２０２５年６月１２日（木）１３：００～１７：００
会　場 ：
オンライン開催（Zoom）
テーマ ：
『ナノインプリント技術の新展開』

[趣旨]
微細な構造を素材表面に転写する加工技術であるナノインプリント技術は、近年、半導体デバイスやAR/VRグラス、シリコンフォトニクスの領域で大きな進展が見られており、高い関心を集めています。このような背景から、本領域で開発が進んでいる最新のナノインプリント技術に焦点を当てた４件の講演を企画しました。

[参加費]
会　員 ： 無料（オンライン開催は人数制限なし）
非会員 ： ３,０００円　　学生 ： ２,０００円　

講演会は終了しました


【プログラム】
１.
13：00
　～13：50		 「ナノインプリント技術の半導体、AR/VRデバイスへの新展開」
大阪公立大学 平井 義彦　氏
ナノインプリントが提唱されて今年で30年目となる。これまでに、光学用途を中心に多くの研究開発が 行われてきた。ここではその加工メカニズムについて述べるとともに、最近の新しい動向として、半導体前 工程、後工程への応用とAR/VRグラス用光導波路への応用展開について紹介する。
＜キーワード＞ダイレクトナノインプリント、解像性、離型、リソグラフィ、傾斜型回折格子
【　休憩（10分） 】
２.
14：00
　～14：50		 「ワーキングスタンプ作製用UVナノインプリント樹脂」
東洋合成工業（株） 大幸 武司　氏
ナノインプリントは、メタバースの普及に伴う市場拡大の期待を背景に、AR（拡張現実）グラス用の光導 波路（Waveguide）製造において主要な技術として注目されている。Waveguideの製造においては、樹脂製のワーキングスタンプが使用されることが主流となっている。本講演ではマスターモールドの形状を忠実に再現しながら、高精度かつ耐久性を有するワーキングスタンプ作製用のUVナノインプリント樹脂について紹介する。
＜キーワード＞ナノインプリント、ARグラス、Waveguide、UVナノインプリント樹脂、ワーキングスタンプ
【　休憩（10分） 】
３.
15：00
　～15：50		 「UV-NILプロセス技術の開発：シリコンフォトニクスからARグラスまで」
東京科学大学 雨宮 智宏　氏
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、ナノスケールのスタンプを用いた押印技術であり、従来の露光法と違って露光波長に解像度が依存しないこと、大面積転写性や高スループット性などを有していることから、半導体における次世代リソグラフィ技術の一つとして期待されている。本講演では、NILの応用先としてシリコンフォトニクスおよびARグラスに着目し、製造技術の面から、その将来展望について述べる。
＜キーワード＞ナノインプリントリソグラフィ、シリコンフォトニクス、ARグラス
【　休憩（10分） 】
４.
16：00
　～16：50		 「半導体デバイス製造用ナノインプリントリソグラフィの開発状況」
キヤノン（株） 伊藤 俊樹　氏
半導体デバイス製造への適用を目指して、インクジェット方式のUVナノインプリント技術を開発中である。3D NANDに始まる応用デバイスをDRAMやLogicへも拡大するためには欠陥を低減する必要がある。バブル状の欠陥を低減するため、押印時にレジスト膜中に残存する気体を消失させる技術に取り組み、速やかに透過して消失する雰囲気気体として二酸化炭素を、理論計算に基づいて選定した。さらに、押印時の巻き込み気体の体積を最小化するために、ドロップ結合型レジストとそのインプリントプロセスを開発した。
＜キーワード＞ナノインプリント、リソグラフィー、レジスト、半導体、インクジェット
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《協賛講演会》 ＝第１９０回ラドテック研究会講演会＝

期　日 ：
２０２５年６月１９日（木）１３：００～１６：００
会　場 ：
早稲田大学内コマツ100周年記念ホール
主　催 ：
一般社団法人ラドテック研究会
【プログラム】
１.
13：00
　～13：40
質疑応答含む		 「UV ナノインプリントリソグラフィ充填プロセスの分子動力学シミュレーション」
東京理科大学 安藤　格士　氏
２.
13：40
　～14：20
質疑応答含む		 「車載向けUV硬化型粘着シール技術開発」
株式会社デンソー 岡本 真一　氏
【　14：20～14：40 　休憩　】
３.
14：40
　～15：20
質疑応答含む		 「多官能エステル型２級チオール　カレンズＭＴの紹介」
株式会社レゾナック 原　真尚　氏
４.
15：20
　～16：00
質疑応答含む		 「日本接着学会の紹介（+「イオンビーム照射による小口径人工血管用材料の表面改質」）」
日本接着学会会長　東京科学大学 扇澤 敏明　氏
●16：00～17：00 　定時社員総会
●17：00～18：00 　懇 　親 　会

※プログラムは変更になる場合がございます

[１．参 加 費]
10,000円（協賛団体ご所属の方）

[２．お申込み]
研究会HP（https://radtechjapan.org/20250619-2/）よりお申し込み下さい。

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《第265回フォトポリマー懇話会講演会》

日　時 ：
２０２５年６月２４日（火）１３：００～１７：５０
会　場 ：
アクリエ姫路　中ホール（〒670-0836　兵庫県姫路市神屋町143-2）
およびZoomでのハイブリッド開催
テーマ ：
『リソグラフィー材料に関する科学と技術の基礎』（フォトポリマー学会共催）

[要旨]
半導体業界の人材育成の一環として、リソグラフィー材料に関する科学と技術の基礎を学ぶ機会を提供する機会をフォトポリマー学会共催で企画した。

[参加費]
会　員 ： 2名まで無料、３名以上は3,000円/1名（オンライン開催は人数制限なし）
非会員 ： ３,０００円　　学生 ： ２,０００円

[参加申込]
当ウェブサイトのメールフォームにてお申し込みください。
※会場参加またはZoomを要選択

[締め切り]
2025年6月17日（火）


【プログラム】
（https://www.spst-photopolymer.org/icpst-photopolymer-conference/tutorial/）
でもご覧いただけます。
１.
13：00
　～13：50
（講演5分）		 「Opening remark from SPST」
兵庫県立大学 渡邊 健夫　氏
２.
13：05
　～13：10
（講演5分）		 「フォトポリマー懇話会から開会の辞」
大阪公立大学 堀邊 英夫　氏
３.
13：10
　～13：35
（講演25分）		 「半導体産業の歴史と化学増幅系3成分レジストの開発」
大阪公立大学 堀邊 英夫　氏
４.
13：35
　～14：00
（講演25分）		 「Lithography general introduction」
imec Dr. John Peterson　氏
５.
14：00
　～14：20
（講演20分）		 「i線レジストおよび非化学増幅/金属非含有レジスト」
光機能材料研究所 花畑　誠　氏
６.
14：40
　～15：10
（講演25分）		 「iKrF/ArF/ArFi/EUV/EB 化学増幅レジスト（PTD, NTD, 現像溶媒）」
（株）日立ハイテク 藤森 亨　氏
７.
15：10
　～15：35
（講演25分）		 「光酸発生剤 (PAG) と光分解型塩基 (PDB)」
富士フイルム（株） 土村　智孝　氏
８.
15：35
　～16：00
（講演25分）		 「EUV Metal containing resists」
State University of Newyork, USA Prof. Robert Brainard　氏
９.
16：20
　～16：40
（講演20分）		 「レジストろ過技術」
日本ポール（株） 梅田 徹　氏
１０.
16：40
　～17：10
（講演30分）		 「BARC, SOC, TC, MHM, リンス, シュリンク材料」
メルクエレクトロニクス（株） 片山　朋英　氏
１１.
17：10
　～17：45
（講演35分）		 「特別基調講演:3D積層CMOSイメージセンサーのプロセス技術」
ソニーセミコンダクタソリューションズ（株） 岩元 勇人　氏
１２.
17：45
　～17：50
（講演5分）		 「閉会の辞」
ASML Japan 永原 誠司　氏
１３.
18：00
　～20：00		 懇親会（無料）
●13. 18：00～20：00 　懇親会（無料）

連絡先：
岡村 晴之
大阪公立大学 大学院工学研究科 物質化学生命系専攻 応用化学分野　准教授
〒599-8531 大阪府堺市中区学園町1-1
TEL: 072-254-9291
E-mail: okamura@omu.ac.jp

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《協賛講演会》 ＝大阪公立大学産官学共同研究会　特別講演会＝

期　日 ：
２０２５年７月９日（水）１４：４０～１８：５５
会　場 ：
大阪公立大学中百舌鳥キャンパス　学術交流会館（C1棟）

【プログラム】
●14：40～15：10 　受　　　付
●15：10～15：20 　開 会 挨 拶
講演Ⅰ.
15：20
　～16：20		 「『新たな価値創造へのチャレンジ』～想像と創造、コミュニケーションの先へ～」
日本電信電話（株）常務取締役　常務執行役員Co-CAIO、CCXO、研究開発マーケティング本部長 大西　佐知子　氏
講演Ⅱ.
16：30
　～17：30		 「日本経済と企業の取るべき戦略」
日本金融経済研究所 代表理事／経済アナリスト 馬渕　磨理子　氏
●17：30～17：40 　閉 会 挨 拶
●17：40～18：55 　交流親睦会

[定　員]
２００名

[参 加 費]
無料

[参加申込]
下記URLからお申し込みください。
URL:　https://liaison-omu.jp/lecture/lecture2025/

[申込期限]
2025年7月2日（水）

[お問い合わせ先]
大阪公立大学産官学共同研究会　事務局 　Tel：072-254-7947

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《協賛講演会》 ＝第１９１回ラドテック研究会講演会＝

期　日 ：
２０２５年８月２６日（火）１３：００～１６：４０
会　場 ：
早稲田大学内コマツ100周年記念ホール
主　催 ：
一般社団法人ラドテック研究会
【プログラム】
１.
13：00
　～13：50
質疑応答含む		 「界面光反応に基づく構造的特徴をもつ機能性高分子微粒子材料の開発」
大阪公立大学大学院 北山 雄己哉　氏
２.
13：50
　～14：40
質疑応答含む		 「半導体リソグラフィの動向と反応機構に基づいたEUVレジスト材料開発」
量子科学技術研究開発機構 山本 洋揮　氏
【　14：40～15：00 　休憩　】
３.
15：00
　～15：50
質疑応答含む		 「ホストゲスト相互作用を用いたスマートマテリアルにおける紫外光の応用展開」
ユシロ化学工業株式会社 大崎 基史　氏
４.
15：50
　～16：40
質疑応答含む		 「光硬化型接着剤の硬化光源変更が及ぼす性能変化」
株式会社スリーボンド 大槻 直也　氏
●17：00～18：30 　懇 　親 　会

※プログラムは変更になる場合がございます

[１．参 加 費]
10,000円（協賛団体ご所属の方）

[２．お申込み]
下記リンク先よりお申込みください。
第191回ラドテック研究会講演会（2025/08/26） | 一般社団法人ラドテック研究会
https://radtechjapan.org/191_2025-8-26/

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《第３５回フォトポリマー講習会》

フォトポリマー懇話会では創設以来、産業界・大学からフォトポリマーに関わりのある各分野の著名な方々のご出講をいただき、講習会を年一回開催しています。今回の第３５回講習会においても、二日間にわたって１０件の講義が行われます。一日目の［基礎編］と二日目の［応用編］で構成される本講習会では、フォトポリマーに関する基礎的な分野に加え、遭遇される困難や課題の解決につながる応用事例を学ぶことができます。二日間の講習の聴講により、フォトポリマーについての全体像を把握いただけるものと期待しています。

本講習会は今回もオンラインでの開催となりましたが、一日目、二日目の最後に総括討議として、講師ごとのブレイクアウトルームを設けます。フォトポリマー懇話会の目的に即して、質問や討論を通じて参加者同士の交流と人脈を広げていただく機会としてもご利用いただければ幸いです。昨年の第３４回フォトポリマー講習会では６９名のご参加をいただきました。今回も懇話会会員はじめ、関心のある多くの方のご参加をお願いします。


日　時 ：
２０２５年８月２８日（木）・２９日（金） 9時15分～17時20分
 
オンライン開催（Zoom）
協　賛 ：
（社）日本化学会

[参加費]
会員：１８,０００円（４名以上参加の場合は一律６５,０００円/会員企業）
日本化学会会員：１８,０００円
非会員：２８,０００円、学生：８,０００円

[参加申込]
当ホームページ（https://www.tapj.jp）のメールフォームからお申し込み下さい。
受付後、事務局より参加方法についてご連絡いたします。
※テキストはメールフォームによる申し込み者にのみPDF配信いたします。

[締め切り]
2025年8月14日（木）

[注意事項]
4名以上参加の場合は、代表者がメールフォームでお申し込みいただき、特記事項欄に参加者全員の氏名ならびにメールアドレスを記入してください。なお、不特定多数での聴講や、講習会の録画・撮影・録音はご遠慮くださいますようお願いいたします。



プログラム

【基礎編】　８月２８日（木）第１日目
9：15
　～9：20		 会長挨拶
大阪公立大学 堀邊　英夫
9：20
　～10：30		 「光化学の基礎と分子デザイン」
成蹊大学 稲垣 昭子　氏
フォトポリマーの反応対象となる「光」との反応、すなわち有機物の光化学反応について概説する。光吸収や励起をはじめとする分子と光の相互作用，励起状態からのエネルギーや電子移動，増感反応など基礎的な現象や概念をわかりやすく解説する。また、有機分子以外にも金属錯体の光化学反応、特にフォトレドックス反応を中心に、これらを用いた酸化的還元的消光サイクルによる触媒的有機合成反応例についても説明する。
＜キーワード＞光吸収、励起状態、反応中間体、増感反応、分子デザイン
休憩（１０分）
10：40
　～11：50		 「光反応中間体と観測」
神奈川大学 河合 明雄　氏
フォトポリマー生成における光開始剤の分解反応やその付加反応中間体の挙動について、高速ESR分光法である時間分解ESRやパルスESRを用いた観測データを基に解説する。特に、近年開拓された光重合過程におけるラジカル付加反応素過程に対する速度定数決定法を中心に、反応機構に関して説明する。
＜キーワード＞光分解、ラジカル、付加反応中間体、反応速度定数、パルスESR、時間分解ESR
１１：５０～１３：００　休憩
13：00
　～14：10		 「ポリマーの光化学と特性」
大阪公立大学 岡村 晴之　氏
高分子の基礎から高分子中の光物理化学を低分子と比較し，溶液中と高分子固体中の光反応の差異についてわかりやすく説明する。また，ポリアクリレートとポリメタクリレートなどの光反応の例を比較し，それらの反応メカニズムの違いについて解説する。
＜キーワード＞高分子、光化学、エネルギー移動
休憩（１０分）
14：20
　～15：30		 「リソグラフィの基礎とフォトレジストの材料設計」
Eリソリサーチ 遠藤 政孝　氏
リソグラフィの基礎を、露光、マスク、レジストプロセスのそれぞれの個別技術に分けて解説する。ロードマップでのリソグラフィの動向に対応させて、フォトレジストの材料設計についてまとめる。化学増幅型レジストについては、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、ArF液浸、EUVのそれぞれの詳細を述べる。EUVレジストについては、非化学増幅型のメタルレジストについても解説する。
＜キーワード＞リソグラフィ、レジスト、ロードマップ、EUV、メタルレジスト
休憩（１０分）
15：40
　～16：50		 「フォトポリマーの特性評価」
リソテックジャパン（株） 関口　淳　氏
リソグラフィーの工程や化学増幅型レジストの課題と、脱保護反応の評価、現像中のレジストの膨潤の評価、光酸発生剤からの酸発生挙動および光酸発生剤からの酸の拡散挙動の評価方法に関して詳しく解説する。評価のために改良した分析装置、最新の評価手法などの研究結果も合わせて紹介する。
＜キーワード＞化学増幅型レジスト、感度、解像度、反応メカニズム、溶解抑制剤、酸発生剤
16：50
　～17：20		 第１日目の総括討議 / 講師ごとのブレイクアウトルーム

【応用編】　８月２９日（金）第２日目
9：20
　～10：30		 「レジストの分析」
東レリサーチセンター 小北 哲也　氏
半導体レジストは複雑な化学構造を持ち、プロセス中にその特性や構造が変化するため、理解には様々な分析手法が必要である。本講演では、露光やPEBなどのプロセス中の化学構造や膜中の自由体積の変化の評価に有効な分析技術と、微量元素の分析について、最新の技術を含めて紹介する。
＜キーワード＞GCIB、TOF-SIMS、陽電子消滅寿命測定法、ICP-MS、レーザーアブレーション
休憩（１０分）
10：40
　～11：50		 「光酸発生剤の基礎と先端材料への応用」
富士フイルム（株） 土村 智孝　氏
光酸発生剤（PAG）の種類、分解機構と機能設計について説明する。また、CTPイメージング、EUVリソグラフィーなど新しいアプリケーションに対応したPAGについて解説する。
＜キーワード＞光酸発生剤、カチオン重合開始剤、フォトレジスト
１１：５０～１３：００　　休憩
13：00
　～14：10		 「感光性耐熱材料の開発と事業化」
三井化学（株） 表　利彦　氏
それまでには無かった光反応メカニズムを用いた新規感光性ポリイミドの開発と、それを用いた新事業開発に関する内容を紹介する。単なる材料の基礎研究に留まらず、社会実装された実用材料の開発、その材料を用いた部材開発、そして最終的には、当時世界初のハードディスク部品の開発に至るまでの事例を紹介する。
＜キーワード＞感光性ポリイミド、光塩基発生剤、ハードディスク、部材、部品
休憩（１０分）
14：20
　～15：30		 「微細加工用レジスト」
兵庫県立大学 渡邊 健夫　氏
半導体とは何かにはじまり，動作原理やデバイス構造・性能を平易に解説し、半導体の市場や微細加工技術の必要性について解説する。長年の開発と実用化に至ったEUVリソグラフィプロセスについても併せて解説する。最先端半導体加工技術となったEUVリソグラフィーの課題と今後の展望について各プロセス要因から俯瞰し，さらに技術的課題解決に向け、EUVリソグラフィー技術開発の現状、課題、そして、レジスト評価技術の展開についても説明する。さらに将来のEUVの短波長化：BEUVの可能性や日本の半導体復興に向けた取り組みについてその課題と提案を述べる。
＜キーワード＞ノボラックレジスト、ＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジスト、EUVレジスト、自己組織化
休憩（１０分）
15：40
　～16：50		 「トピックス　積層型CMOSイメージセンサー」
ソニーセミコンダクタソリューションズ（株） 梅林　拓　氏
最近のデジタルカメラで主流となった「積層型CMOSイメージセンサ」という撮像デバイス構造について説明します。何故「積層型」が主流になったのか、イメージセンサの進化の過程から、従来構造の課題点を紐解き、その進化の経緯と、優位性、効果や実用化された機能等を紹介します。
＜キーワード＞イメージセンサ、裏面型、積層型、TSV
16：50
　～17：20		 第２日目の総括討議　/ 講師ごとのブレイクアウトルーム
会告

《第２６６回講演会・見学会》（会員限定）

日　時 ：
２０２５年９月１２日（金）１３：１０～１６：３０
見学先 ：
国立研究開発法人物質・材料研究機構
〒３０５－００４７　茨城県つくば市千現1-2-1
内　容 ：
NIMS共用施設ならびにAIST-Cube見学
講演　「NIMS高分子研究分野における取り組み」　内藤 昌信氏
懇親会　17：00～

[参加資格]
フォトポリマー懇話会会員のみ

[定員]
20名程度

[参加費]
見学会・講演会参加は無料
懇親会は5,000円

[参加申込]
当ウェブサイトのメールフォームにてお申し込みください。
その際、必ず懇親会の参加・不参加もご記入ください。

[締め切り]
2025年8月29日（金）まで
但し、定員になり次第締め切りとさせていただきます。

*詳細につきましては、後日参加者に通知いたします。

フォトポリマー懇話会の活動写真